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非破坏性方式在晶片或器件内进行成像
WDI设计并制造了自动红外激光共聚焦显微镜 (IRLC)。
IRLC可以对硅晶片的表面之下和内部进行检查, 使其内部结构以亚微米分辨率呈现。
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激光共聚焦显微镜多层检测
由近红外激光和扫描共聚焦组合而成的IRLC有着诸多优势。首先便是具备了对薄晶片的多层高分辨率图像的采集能力；同时，IRLC具备更深的样品穿透能力、更高的分辨率和更快的图像采集速度；
近红外优化光路
系统包含了全套Olympus近红外长工作距离物镜。这组物镜专为硅晶圆的内部结构检测而设计，采用优化的近红外光学系统，并配备专用的校正环以适应不同后面的硅片或玻璃表面。
一键双视野
IRLC包含一组可见光彩色成像系统和一组近红外共聚焦系统。这种搭配可对样品表面和底层（*深达800μm）同时成像。
由于采用了ATF6/0AA/ZAA技术（即实时快速自动聚焦技术），IRLC实现了真正意义上的实时聚焦-不管观察方式和样品表面状况如何变化，视野内持续聚焦状态。
简洁的软件界面
功能完善、操作简单，直观的软件界面设计旨在提高工作效率，简化检测流程。基本操控功能包括对照明、放大倍率、XYZ控制以及对焦补偿的参数调整。 载物台移动可通过软件操控、手柄操控、或者简单地点击实时画面来完成。
高 级功能
线性XY “pointto point” 和 “pointto multipoint” 测量及高 级图像采集选项可实现均帧、AveragedImage、Z轴序列采集、以及在两点间图像序列采集。
自动检测
集成了全电动控制和自动聚焦的IRLC，配合全自动软件可实现全自动检测流程，并可在同**程内对多个样品进行检测。
CIS（CMOS成像芯片）
很多CIS模块已经在像素上方加装了保护面板和彩色滤光片，给检测带来很多困难。使用IRLC即可轻松看到表面之下的结构特征。
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5X BF (Front)
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5X IRLC (Front)
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20X IRLC (Front)
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50X IRLC (Front)
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100X IRLC (Front)
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高掺杂半导体
从正面穿透金属基板观察是不可能实现的；使用IRLC从背面穿透300μm高掺杂硅可清晰观察到该区域下的内部结构。
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10XBF (Front)
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20XIRLC (Back)
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50XIRLC (Back)
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100XIRLC (Back)
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低掺杂半导体
使用IRLC从背面穿透800μm低掺杂硅，刻蚀图案清晰可见。
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5X BF (Front)
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20XIRLC (Back)
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50X IRLC (Back)
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100X RLC (Back)
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MEMS器件
仅使用明场观察，表面细节清晰可见；使用IRLC，表面之下的MEMs结构清晰可见。
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5X BF (Front)
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5X IRLC (Front)
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10XIRLC (Front)
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20XIRLC (Front)
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